Graphite는
Metal과
달리 낮은열팽창율,높은 열전도율, 타재질과의 비친화성,내화학성,윤활성,3500
˚C
이상의 고융점등 물리적.화학적으로 우수한 특성을 갖고있다.
또한 비활성기체나 진공상태에서 고온으로 올라갈수록 강도가 높아지는특성을 갖고있다.
하지만 대기중이나 활성화분위기에서 350 ˚C이상이면 반응을 시작하여 산화가
시작된다.
고온공정에서 산화를 억제키 위하여 Vacuum,Inert 조건등을 갖추어야한다.
하지만 SiC Coating
Graphite는 고온공정을 통하여 Graphite표면을 SiC화시킴으로써
내산화성.내마모성.Purity등의물리적특성을 상향시켜준다.
대기중이나 활성화분위기에서도 750 ˚C에서
산화에 안정적이며, 표면이 SiC가되어 경도가높아지며, 2,000
˚C이상에서 공정이 처리됨으로 함유되어있던 불순물을 Purification하여
Purity를 상향시킨다.
특히 Graphite용도에 한계내지는
높은 품질이 요구되는 Brazing JiG. Semiconductor
Hardware Parts. 고온부식성 공정에 필요한 전기저항 Heater.열전도의
균일성이 요구되는 Susceptor. Shild등으로 널리 응용된다.
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